دسته بندی صنایع
آمار سايت
| تاریخ |
Ù…ØØµÙˆÙ„ |
بازدید |
| امروز |
0 |
1893 |
| دیروز |
0 |
6245 |
| Ú©Ù„ |
2146 |
22801296 |
روش های پرداخت
|
|
|
|
|
مشاهده Ù…ØØµÙˆÙ„
|
توجه: [ این قطعه ÙØ¹Ù„ا موجود نمیباشد]
DM2G200SH12AE
IGBT Module,1200V,200A,Half Bridge ماژول داوین ساخت کره اصلی 200 آمپر 1200 ولت
Product Details
IGBT Modules, DAWIN Electronics
DAWIN's Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules offer
superior electrical performance in a wide range of industry standards.
IGBT power modules provide low conduction and switching losses as well
as short circuit ruggedness.
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a
three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and
fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics
of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage
capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for
the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a
single device.
Specifications
Not what you’re looking for? Select the attributes you require, then click the button below
خریدDM2G200SH12AE ÙØ±ÙˆØ´DM2G200SH12AE مشخصاتDM2G200SH12AE قیمتDM2G200SH12AE خرید DM2G200SH12AE ÙØ±ÙˆØ´ DM2G200SH12AE مشخصات DM2G200SH12AE قیمت DM2G200SH12AE
مشخصات Ù…ØØµÙˆÙ„
بروز شده در: جمعه 18 دی 1394
قيمت:
بازديد: 522 بار
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
تازه های این گروه
DM2G200SH12AE - 1394/10/18
IGBT Module,1200V,200A,Half Bridge
ماژول داوین ساخت کره اصلی
200 آمپر 1200 ولت... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ù…ØØµÙˆÙ„ات مرتبط
6ES7407-0RA02-0AA0/6ES7 407-0RA02-0AA0 - 1394/9/2
SIMATIC S7-400, POWER SUPPLY PS407, 20A, WIDERANGE, 120/230V UC, 5V DC/20A
منبع تغذیه 5 ولت 20 آمپر
اریجینال المان - واردات از انگلیس... |
EER42X15/EER4215 - 1394/8/2
ترانس خروجی(جریان) دستگاه جوش در برد وسط دستگاه های Ù…Ø§Ø³ÙØªÛŒ
22:4
نمایندگی Ø§Ù†ØØµØ§Ø±ÛŒ HS در ایران... |
HG-DTYR2UD-D-34/DTYR2UD-D-34 - 1394/8/19
ال ای دی اوال اچ جی اصلی (100% اریجینال - با بارکد اصلی ATRIN Ùˆ کنترل Ú©ÛŒÙیت Ùˆ نشانگذاری شده توسط کمپانی HG)
شدت روشنایی
1200-1400 MCD
IF:15-20mA VF:2-2.2V -620-625nm
/طریقه آشنایی با hg اریجینØ... |
FMH23N50E/23N50E/23N50 - 1391/7/4
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A,FUJI JAPAN,23N50
IRFP23N50
Ù…Ø§Ø³ÙØª قدرت Ùوجی ژاپن... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
نماد اعتماد الکترونیکی
برندهای موجود
|