گروه قطعات
دسته بندی صنایع
تبلیغات
آمار سايت
تاریخ محصول بازدید
امروز 0 3800
دیروز 0 2032
Ú©Ù„ 2146 22796958
آمار خصوصی
مترجم سایت
روش های پرداخت
مشاهده محصول
مشاور آفلاین
توجه: [ این قطعه فعلا موجود نمیباشد]

GT50J325

TOSHIBA  GT50J325  IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3

ای جی بی تی توشیبا 50 آمپر 600 ولت

قدیمی و کمیاب (جایگزین موجود است)

The GT50J325 from Toshiba is a N channel silicon insulated gate bipolar transistor in through hole TO-3P package. IGBT typically used at fast switching and high power switching applications.
  • Fourth generation IGBT
  • Enhancement mode type
  • Fast switching
  • Operating frequency up to 50KHz
  • Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V
  • FRD included between emitter and collector
  • Collector emitter voltage VCES of 600V
  • DC collector current of 50A
  • Junction temperature of 150°C
  • Collector power dissipation of 240W

100% اریجینال

خریدGT50J325

فروشGT50J325

مشخصاتGT50J325

قیمتGT50J325

خرید GT50J325

فروش GT50J325

مشخصات GT50J325

قیمت GT50J325



مشخصات محصول مشاوره قبل از خرید

جستجوی مرتبط
TOSHIBA GT50J325 IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 - - ای جی بی تی توشیبا 50 آمپر 600 ولت - - قدیمی و کمیاب (جایگزین موجود است) - The GT50J325 from Toshiba is a N channel silicon insulated gate bipolar transistor in through hole TO-3P package. IGBT typically used at fast switching and high power switching applications. - - Fourth generation IGBT - Enhancement mode type - Fast switching - Operating frequency up to 50KHz - Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V - FRD included between emitter and collector - Collector emitter voltage VCES of 600V - DC collector current of 50A - Junction temperature of 150°C - Collector power dissipation of 240W - - - 100% اریجینال - - خریدGT50J325 - - فروشGT50J325 - - مشخصاتGT50J325 - - قیمتGT50J325 - - خرید GT50J325 - - فروش GT50J325 - - مشخصات GT50J325 - - قیمت GT50J325 - - -
تازه های این گروه
GT50J325 - 1394/10/3

TOSHIBA GT50J325 IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 ای جی بی تی توشیبا 50 آمپر 600 ولت قدیمی و کمیاب (جایگزین موجود است)...

50JR22/GT50JR22 - 1394/8/2

GT50JR22 N-channel IGBT Transistor, 50 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-3P 600ولت 50 آمپر توشیبا اریجینال ژاپن...

30J122A/GT30J122A - 1394/8/2

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600v,30A توشیبا ژاپن 600 ولت 30 آمپر...

GT60M303 - 1391/9/5

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT,900V,60A,HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS...

محصولات مرتبط
6ES7407-0RA02-0AA0/6ES7 407-0RA02-0AA0 - 1394/9/2

SIMATIC S7-400, POWER SUPPLY PS407, 20A, WIDERANGE, 120/230V UC, 5V DC/20A منبع تغذیه 5 ولت 20 آمپر اریجینال المان - واردات از انگلیس...

EER42X15/EER4215 - 1394/8/2

ترانس خروجی(جریان) دستگاه جوش در برد وسط دستگاه های ماسفتی 22:4 نمایندگی انحصاری HS در ایران...

HG-DTYR2UD-D-34/DTYR2UD-D-34 - 1394/8/19

ال ای دی اوال اچ جی اصلی (100% اریجینال - با بارکد اصلی ATRIN Ùˆ کنترل کیفیت Ùˆ نشانگذاری شده توسط کمپانی HG) شدت روشنایی 1200-1400 MCD IF:15-20mA VF:2-2.2V -620-625nm /طریقه آشنایی با hg اریجینØ...

FMH23N50E/23N50E/23N50 - 1391/7/4

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A,FUJI JAPAN,23N50 IRFP23N50 ماسفت قدرت فوجی ژاپن...

صفحات :1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  » »
جستجوی قطعه
عنوان:
گروه:
جستجو در: عنوان محصول    
شرح مختصر    
شرح کامل    
دیگر موارد    
 
نماد اعتماد الکترونیکی
برندهای موجود
رهگیری سفارش
قطعات پرفروش
› IRFP4227
› FMH23N50E/23N50E/23N50
› ATMEGA8A-PU
› 47D15/47D-15
نظرسنجی سایت

نقطه ضعف این فروشگاه چیست ؟

کیفیت قطعات
خدمات پس از فروش
پاسخگویی و اطلاعات کم فروشنده
قیمت قطعات



خبرنامه
نام:
ایمیل:
تلفن: