گروه قطعات
دسته بندی صنایع
تبلیغات
آمار سايت
تاریخ محصول بازدید
امروز 0 3716
دیروز 0 2032
Ú©Ù„ 2146 22796874
آمار خصوصی
مترجم سایت
روش های پرداخت
مشاهده محصول
مشاور آفلاین
توجه: [ این قطعه فعلا موجود نمیباشد]

RJH60F7/RJH60F7ADPK [ قیمت: 8,000 تومان ]
اریجینال ژاپن-مدل معمولی هم موجود میباشد

افزودن به سبد خرید

Renesas Technology Corp. Part No. RJH60F7ADPK RJH60F7ADPK-00-T0

Description, 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT Silicon N Channel IGBT High Speed

600 ولت 50 آمپر ساخت رنساس ژاپن

RJH60F7BDPQ-A0
600V - 50A - IGBT
High Speed Power Switching
Features
ï‚· Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
ï‚· Built in fast recovery diode in one package
ï‚· Trench gate and thin wafer technology
ï‚· High speed switching
tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)

خریدRJH60F7

فروشRJH60F7

مشخصاتRJH60F7

قیمتRJH60F7

IGBT RJH60F7

خرید RJH60F7

فروش RJH60F7

مشخصات RJH60F7

قیمت RJH60F7

خریدRJH60F7DPQ

فروشRJH60F7DPQ

مشخصاتRJH60F7DPQ

قیمتRJH60F7DPQ

 IGBT RJH60F7DPQ

خرید RJH60F7DPQ

فروش RJH60F7DPQ

مشخصات RJH60F7DPQ

قیمت RJH60F7DPQ

RJH60F7BDPQ-A0#T0

RJH60F7DPQ




مشخصات محصول مشاوره قبل از خرید

جستجوی مرتبط
Renesas Technology Corp. Part No. RJH60F7ADPK RJH60F7ADPK-00-T0 - - Description, 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT Silicon N Channel IGBT High Speed - - 600 ولت 50 آمپر ساخت رنساس ژاپن - - RJH60F7BDPQ-A0 - 600V - 50A - IGBT - High Speed Power Switching - Features -  Low collector to emitter saturation voltage - VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) -  Built in fast recovery diode in one package -  Trench gate and thin wafer technology -  High speed switching - tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load) - - خریدRJH60F7 - - فروشRJH60F7 - - مشخصاتRJH60F7 - - قیمتRJH60F7 - - IGBT RJH60F7 - - خرید RJH60F7 - - فروش RJH60F7 - - مشخصات RJH60F7 - - قیمت RJH60F7 - - خریدRJH60F7DPQ - - فروشRJH60F7DPQ - - مشخصاتRJH60F7DPQ - - قیمتRJH60F7DPQ - - IGBT RJH60F7DPQ - - خرید RJH60F7DPQ - - فروش RJH60F7DPQ - - مشخصات RJH60F7DPQ - - قیمت RJH60F7DPQ - RJH60F7BDPQ-A0#T0 - - RJH60F7DPQ - - -
تازه های این گروه
DP300D1200T102002 - 1394/11/26

DP300D1200T102002 ماژول دانفوس المان 300 آمپر 1200 ولت 300A-1200V...

BUP314 - 1394/2/5

BUP314 IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) BUP314 Infineon Technologies IGBT Transistors TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A IGBT Transistors Product Data...

RJH60F7/RJH60F7ADPK - 1393/12/10

Renesas Technology Corp. Part No. RJH60F7ADPK RJH60F7ADPK-00-T0 Description, 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT Silicon N Channel IGBT High Speed 600 ولت 50 آمپر ساخت رنساس ژاپن...

YD1008AB60 - 1393/11/2

SANSHA YD1008AB60 MODULE IGBT YD1008AB60 SANSHA good quality استفاده در انواع اینورتر های صنعتی کمیاب ...

صفحات :1 2 3 4 5 
محصولات مرتبط
6ES7407-0RA02-0AA0/6ES7 407-0RA02-0AA0 - 1394/9/2

SIMATIC S7-400, POWER SUPPLY PS407, 20A, WIDERANGE, 120/230V UC, 5V DC/20A منبع تغذیه 5 ولت 20 آمپر اریجینال المان - واردات از انگلیس...

EER42X15/EER4215 - 1394/8/2

ترانس خروجی(جریان) دستگاه جوش در برد وسط دستگاه های ماسفتی 22:4 نمایندگی انحصاری HS در ایران...

HG-DTYR2UD-D-34/DTYR2UD-D-34 - 1394/8/19

ال ای دی اوال اچ جی اصلی (100% اریجینال - با بارکد اصلی ATRIN Ùˆ کنترل کیفیت Ùˆ نشانگذاری شده توسط کمپانی HG) شدت روشنایی 1200-1400 MCD IF:15-20mA VF:2-2.2V -620-625nm /طریقه آشنایی با hg اریجینØ...

FMH23N50E/23N50E/23N50 - 1391/7/4

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A,FUJI JAPAN,23N50 IRFP23N50 ماسفت قدرت فوجی ژاپن...

صفحات :1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  » »
جستجوی قطعه
عنوان:
گروه:
جستجو در: عنوان محصول    
شرح مختصر    
شرح کامل    
دیگر موارد    
 
نماد اعتماد الکترونیکی
برندهای موجود
رهگیری سفارش
قطعات پرفروش
› IRFP4227
› FMH23N50E/23N50E/23N50
› ATMEGA8A-PU
› 47D15/47D-15
نظرسنجی سایت

نقطه ضعف این فروشگاه چیست ؟

کیفیت قطعات
خدمات پس از فروش
پاسخگویی و اطلاعات کم فروشنده
قیمت قطعات



خبرنامه
نام:
ایمیل:
تلفن: